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BD651	文件：336.95 Kbytes Page：5 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyareintendedforoutputstagesinaudioequipment,generalamplifiers,andanalogueswitchingapplication. NPNcomplementsareBD643,BD645,BD647	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD651	文件：105.89 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
BD651	文件：105.89 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
BD651	文件：115.8 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649andBD651 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	POINNPower Innovations Ltd Power Innovations Ltd	POINN
BD651	文件：112.31 Kbytes Page：5 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD651	文件：90.32 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
BD651	文件：126.1 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=120V(Min) •HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@lc=3A •LowSaturationVoltage •ComplementtoTypeBD652 APPLICATIONS •DesignedforuseascomplementaryAFpush-pulloutputstageapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD651F	文件：278.74 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
C651	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux42TEx166.5mm •Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
CMPT651	文件：104.28 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTNPNHIGHCURRENTTRANSISTOR SmallSignalTransistor NPN-HighCurrentTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize40x40MILS DieThickness7.1MILS BaseBondingPadArea7.9x8.7MILS Emitter	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT651	文件：463.1 Kbytes Page：2 Pages	NPN-HighCurrentTransistorChip PROCESSCP314V SmallSignalTransistor NPN-HighCurrentTransistorChip	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CN651	文件：151.02 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL CDIL	CDIL
CNY651	文件：152.87 Kbytes Page：10 Pages	Optocoupler,PhototransistorOutput,VeryHighIsolationVoltage	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
CNY651	文件：179.89 Kbytes Page：11 Pages	Optocoupler,PhototransistorOutput,VeryHighIsolationVoltage DESCRIPTION TheCNY651SeriesarehighisolationvoltageTHandSMD versionoptocouplersconsistofaphototransistoroptically coupledtoagalliumarsenideinfrared-emittingdiodeina 4pinplasticpackage. Thesinglecomponentsaremountedoppositeoneanother, providingadistancebetwe	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
CNY651	文件：180.19 Kbytes Page：11 Pages	Optocoupler,PhototransistorOutput,VeryHighIsolationVoltage DESCRIPTION TheCNY651SeriesarehighisolationvoltageTHandSMD versionoptocouplersconsistofaphototransistoroptically coupledtoagalliumarsenideinfrared-emittingdiodeina 4pinplasticpackage. Thesinglecomponentsaremountedoppositeoneanother, providingadistancebetwe	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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产品属性

产品编号：
TC651ACVUA
制造商：
Microchip Technology
类别：
传感器，变送器 > 温度传感器 - 温控器 - 固态
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
跳断温度阈值：
Hot
开关温度：
45°C
精度：
±3°C
输出：
低有效
输出功能：
/Fault，/OverTemp，PWM
可选滞后：
无
特性：
自动风扇关断，风扇控制器
电流 - 供电：
50µA
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
供应商器件封装：
8-MSOP
描述：
THERMOSTAT 45DEGC ACTV LOW 8MSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TC651ACVUA供应商更新时间2024-5-23 10:51:00

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