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TC58DVG3S0ETA00	文件：621.12 Kbytes Page：73 Pages	8 GBIT (1G × 8 BIT) CMOS NAND E2 PROM DESCRIPTION The TC58DVG3S0E is a single 3.3V 8 Gbit (8,858,370,048 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as (4096 + 128) bytes × 64 pages × 4096blocks. The device has two 4224-byte static registers which allow program and read data to be tran 文件：621.12 Kbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
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