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TC58CYG2S0HRAIG数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

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厂商型号

TC58CYG2S0HRAIG

参数属性

TC58CYG2S0HRAIG 封装/外壳为8-WDFN 裸露焊盘;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 4GBIT SPI 104MHZ 8WSON

功能描述

Serial Interface NAND

封装外壳

8-WDFN 裸露焊盘

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-9 20:00:00

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TC58CYG2S0HRAIG规格书详情

描述 Description

Capacity (bit):4G
Tech. node (nm):24
Page size (bit):(4096+128)×8
Block size (bit):(256K+8K)×8
I/O (bit):1,2,4
Keyword:SPI
RoHS Compatible Product(s) (#):Available

技术参数

  • 制造商编号

    :TC58CYG2S0HRAIG

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Access Time (Serial Cycle) (Min)

    :9.6 nsec

  • Operational Temperature

    :-40 to 85 ℃

  • Supply Voltage

    :1.70 to 1.95 V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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