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TC58BYG2S0HBAI6中文资料BENAND (Built-in ECC SLCNAND)数据手册Toshiba规格书
| 厂商型号 |
TC58BYG2S0HBAI6 |
| 参数属性 | TC58BYG2S0HBAI6 封装/外壳为67-VFBGA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA |
| 功能描述 | BENAND (Built-in ECC SLCNAND) |
| 封装外壳 | 67-VFBGA |
| 制造商 | Toshiba Toshiba Semiconductor |
| 中文名称 | 东芝 株式会社东芝 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 10:31:00 |
| 人工找货 | TC58BYG2S0HBAI6价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
TC58BYG2S0HBAI6规格书详情
描述 Description
Capacity (bit)：4G
Tech. node (nm)：24
Page size (bit)：(4096+128)×8
Block size (bit)：(256K+8K)×8
I/O (bit)：8
Keyword：4Gbit BENAND, 1.8V, x8, 24nm, FBGA
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
技术参数
- 制造商编号
：TC58BYG2S0HBAI6
- 生产厂家
：Toshiba
- Access Time (Serial Cycle) (Min)
：25 nsec
- Operational Temperature
：-40 to 85 ℃
- Supply Voltage
：1.7 to 1.95 V
- Block Erasing Time (Typ.)
：3.5 msec
- Program Time (Typ.)
：0.34 msec
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Toshiba Semiconductor and Stor |
22+ |
67VFBGA (6.5x8) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
TOSHIBA |
24+ |
BGA |
20000 |
低价现货抛售(美国 香港 新加坡) |
询价 | ||
TOSHIBA |
24+ |
TSSOP |
2500 |
自己现货 |
询价 | ||
TOSHIBA |
24+ |
TSOP |
5000 |
只做原装公司现货 |
询价 | ||
TOSHIBA |
23+ |
SOP |
9526 |
询价 | |||
M-SYSTEMS |
2402+ |
BGA9*12 |
8324 |
原装正品!实单价优! |
询价 | ||
TOS |
22+ |
BGA |
8200 |
原装现货库存.价格优势 |
询价 | ||
TOSHIBA |
22+ |
BGA |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
80000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
Toshiba Memory America, Inc. |
24+ |
67-VFBGA(6.5x8) |
56200 |
一级代理/放心采购 |
询价 |
