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TC58BVG2S0HBAI6	文件：2.54863 Mbytes Page：53 Pages	4 GBIT (512M × 8 BIT) CMOS NAND E2 PROM DESCRIPTION The TC58BVG2S0HBAI6 is a single 3.3V 4Gbit (4,429,185,024 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as (4096 + 128) bytes × 64 pages × 2048 blocks. The device has a 4224-byte static register which allows program and read data to be tr 文件：2.54863 Mbytes 页数：53 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
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更多TC58BVG2S0HBAI6供应商更新时间2025-10-11 14:03:00