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TC531000AF	文件：186.47 Kbytes Page：4 Pages	1M BIT (128K WORD X8 BIT) CMOS MASK ROM SILICON GATE CMOS DESCRIPTION TheTC531000AP/AFisa1,048,576bitsreadonly memoryorganizedas131,072wordsby8bitswithalow bitcost,thusbeingsuitableforuseinprogrammemory ofmicroprocessor,especiallycharactergenerator.The TC531000AP/AFusingCMOStechrologyismost suitableforlowpower	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝
LH531000B	文件：51.28 Kbytes Page：6 Pages	CMOS1M(128Kx8)MROM DESCRIPTION TheLH531000Bisamask-programmableROMorganizedas131,072×8bits.Itisfabricatedusingsilicon-gateCMOSprocesstechnology. FEATURES •131,072words×8bitorganization •Accesstime:150ns(MAX.) •Lowpowerconsumption: Operating:192.5mW(MAX.) Standby:55	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）
LH531000B-S	文件：39.72 Kbytes Page：5 Pages	CMOS1M(128Kx8)3V-DriveMROM DESCRIPTION TheLH531000B-Sisamask-programmableROMorganizedas131,072×8bits.Itisfabricatedusingsilicon-gateCMOSprocesstechnology. FEATURES •131,072words×8bitorganization •Accesstime:500ns(MAX.) •Powerconsumption: Operating:64.8mW(MAX.) Standby:108µ	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）
TC531000AP	文件：186.47 Kbytes Page：4 Pages	1MBIT(128KWORDX8BIT)CMOSMASKROMSILICONGATECMOS DESCRIPTION TheTC531000AP/AFisa1,048,576bitsreadonly memoryorganizedas131,072wordsby8bitswithalow bitcost,thusbeingsuitableforuseinprogrammemory ofmicroprocessor,especiallycharactergenerator.The TC531000AP/AFusingCMOStechrologyismost suitableforlowpower	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝
TC54VC2702EMB713	文件：0 bytes Page：0 Pages	MICROCHIP/微芯 SOT-89-3	MICROCHIP/微芯上传：深圳市明嘉莱科技有限公司	MICROCHIP/微芯

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	TC531000AP	TOSHIBA	24+	DIP28	195	本站现库存	询价
上海凌岳电子科技有限公司（上海涵恩科技）	TC531000AP		2023+	DIP	3000	进口原装现货	询价
深圳市壹芯创科技有限公司	TC531000AP-1302	TOSHIBA	22+	DIP28P	8200	原装现货库存.价格优势	询价
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