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TC51V8512AFT-12	文件：444.73 Kbytes Page：9 Pages	524,288 WORD x 8 BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM Description The TC51V8512AF is a 4M bit high speed CMOS pseudo static RAM organized as 524,288 words by 8 bits. The TC51V8512AF utilizes a one transistor dynamic memory cell with CMOS peripheral circuitry to provide high capacity, high speed and low power storage. The TC51V8512AF operates from 文件：444.73 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
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更多TC51V8512AFT-12供应商更新时间2026-9-26 10:16:00