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TC51WHM616AXBN70	文件：207.45 Kbytes Page：11 Pages	TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
TC51WHM616AXBN70
功能描述：
IC PSRAM 64MBIT 70NS 48TFBGA
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
576
系列：
- 格式 -
存储器：
闪存
存储器类型：
闪存 - NAND
存储容量：
512M（64M x 8）
速度：
-
接口：
并联
电源电压：
2.7 V ~ 3.6 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
供应商设备封装：
48-TSOP
包装：
托盘
其它名称：
497-5040

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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