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CD4073BPW	文件：1.42989 Mbytes Page：29 Pages	CMOSANDGates	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
CD4073BPW	文件：1.44156 Mbytes Page：31 Pages	CMOSANDGates	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
CD4073BPW	文件：530.84 Kbytes Page：12 Pages	CMOSANDGATES	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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CEM4073	文件：491.07 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -40V,-13.6A,RDS(ON)=8.4mW@VGS=-10V. RDS(ON)=12mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
HCC4073B	文件：141.35 Kbytes Page：13 Pages	RadHardenedhighvoltagecomplementaryMOSlogicseries	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
HCC4073B	文件：271.6 Kbytes Page：10 Pages	ANDGATES DESCRIPTION TheHCC4073B,HCC4081BandHCC4082B(extendedtemperaturerange)andtheHCF4073B,HCF4081BandHCF4082B(intermediatetemperaturerange)aremonolithicintegratedcircuitsavail-ablein14-leaddualin-lineplasticorceramicpackageandplasticmicropackage. 4073BTRIPLE3–INPUTANDGAT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
HCC4073B	文件：336.95 Kbytes Page：16 Pages	Rad-hard,highvoltage,CMOSlogicseries Features •ESCCqualified •18VAbsolutemaximumratings •3Vto15Voperatingvoltage •Hermeticpackages •Rad-hard100krad(Si)TID •SELimmuneupto119MeV.cm²/mg •SEUimmuneupto119MeV.cm²/mg •-55°Cto+125°Ctemperaturerange •ESCCspecificationavailableonESCCwebsi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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