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UES1302	文件：86.67 Kbytes Page：2 Pages	RECTIFIERS DESCRIPTION TheUES1104seriesisspecificallydesignedforoperationinpowerswitchingcircuitsoperatingatfrequenciesofatleast20KHz. FEATURES ●VeryLowForwardVoltage(1.15V) ●VeryFastRecoveryTimes(50nSec) ●SmallSize ●ConvenientPackage	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UES1302	文件：168.39 Kbytes Page：2 Pages	HIGHEFFICIENCYRECTIFIERS3.5AMP	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
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VBA1302	文件：594.18 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBA1302	文件：398.13 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®GenII •UltraLowOn-ResistanceUsingHigh DensityTrenchFETPowerMOSFET Technology APPLICATIONS •SynchronousBuckLow-Side -Notebook -Server -Workstation •SynchronousRectifier-POL	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE1302	文件：559.38 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE1302	文件：571.14 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE1302A	文件：567.15 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

产品属性

产品编号：
TC1302A-IAVMF
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 线性 + 开关稳压器
包装：
管件
输出配置：
正
输出类型：
固定
电压 - 输入（最大值）：
6V
电压 - 输出（最小值/固定）：
2.5V，3.3V
电压降（最大值）：
-，0.25V @ 150mA
电流 - 输出：
300mA，150mA
PSRR：
58dB（100Hz）
控制特性：
使能
保护功能：
过流，超温
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
8-DFN（3x3）
描述：
IC REG LINEAR 2.5V/3.3V 8DFN

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