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TC123E	文件：420.53 Kbytes Page：15 Pages	型号：PDTC123ES；Package：SOT54；NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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TC123E

文件：420.53 Kbytes

Page：15 Pages

型号：PDTC123ES；Package：SOT54；NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ

FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

详细参数

型号：
TC123E
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS BISS AMMO LARGE
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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