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UM2110	文件：113.95 Kbytes Page：3 Pages	PINDIODE DESCRIPTION UM2100SeriesPINdiodesaredesignedfortransmit/receiveswitchandattenuatorapplicationsinHFband(2-30MHz)andbelow.Asseriesconfiguredswitches,theselonglifetime(25μstypical)diodescancontrolupto2.5kW,CWina50ohmsystem.InHFband,insertionlossisless	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UM2110B	文件：2.81601 Mbytes Page：221 Pages	ProductChangeNotification	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
UM2110C	文件：2.81601 Mbytes Page：221 Pages	ProductChangeNotification	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
UN2110	文件：235.97 Kbytes Page：17 Pages	SiliconPNPepitaxialplanertransistor SiliconPNPepitaxialplanartype Fordigitalcircuits ■Features •Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts •Minitypepackageallowingeasyautomaticinsertionthroughtape packingandmagazinepacking	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UNR2110	文件：443.54 Kbytes Page：17 Pages	SiliconPNPepitaxialplanartype SiliconPNPepitaxialplanartype Fordigitalcircuits ■Features •Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts •Minitypepackageallowingeasyautomaticinsertionthroughtape packingandmagazinepacking	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UPG2110TB	文件：149.27 Kbytes Page：3 Pages	L-BANDPADRIVERAMPLIFIER DESCRIPTION NECsUPG2110TBisaGaAsMMICforPAdriveramplifierswithvariablegainfunctionswhichwasdevelopedforL-bandapplications.Thedevicecanoperatewith3.0V,havinghighgainandlowdistortion. FEATURES •LOWVOLTAGEOPERATION:VDD1=VDD2=3.0V, fRF=1850to1910MHz	CEL California Eastern Labs	CEL
UPG2110TB	文件：87.38 Kbytes Page：12 Pages	L-BANDPADRIVERAMPLIFIER DESCRIPTION TheµPG2106TBandµPG2110TBareGaAsMMICforPAdriveramplifierwithvariablegainfunctionwhichweredevelopedforPDC(PersonalDigitalCellularinJapan)andanotherL-bandapplication.Thedevicecanoperatewith3.0V,havingthehighgainandlowdistortion.TheµPG2106TBis	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UTCM2110	文件：93.83 Kbytes Page：3 Pages	LINEARINTEGRATEDCIRCUIT	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
V2110B	文件：46.53 Kbytes Page：1 Pages	Finger-shapedheatsinkTO-126	ASSMANN ASSMANN WSW COMPONENTS	ASSMANN
VDA2110CTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM

详细参数

型号：
TC-2110
制造商：
Thomas & Betts

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更多TC-2110供应商更新时间2025-5-24 9:26:00

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