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TBR12M045HT中文资料Trench MOS Barrier Schottky数据手册FutureWafer规格书

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厂商型号

TBR12M045HT

功能描述

Trench MOS Barrier Schottky

制造商

FutureWafer FutureWafer Tech Co.,Ltd

中文名称

未来芯

数据手册

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更新时间

2025-9-28 9:41:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :TBR12M045HT

  • 生产厂家

    :FutureWafer

  • Continuous Forward Current

    :12 A

  • Diode Forward Voltage

    :0.58 V

  • Reverse Current

    :30 uA

  • Peak Surge Current

    :280 A

  • Operating Temperature

    :-65to 150

  • ESD Level

    :8 KV

  • Package

    :TO-277B

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