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TBR10LM100HT数据手册FutureWafer中文资料规格书

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厂商型号

TBR10LM100HT

功能描述

Trench MOS Barrier Schottky

制造商

FutureWafer FutureWafer Tech Co.,Ltd

中文名称

未来芯

数据手册

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更新时间

2025-8-6 22:50:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :TBR10LM100HT

  • 生产厂家

    :FutureWafer

  • Continuous Forward Current

    :10 A

  • Diode Forward Voltage

    :0.75 V.Max

  • Reverse Current

    :0.025 mA

  • Peak Surge Current

    :180 A

  • Operating Temperature

    :-40to 150

  • ESD Level

    :8 KV

  • Package

    :TO277-B

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