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TBL4P06R

4A, 60V, 3.1W, P Channel, Dual MOSFETs

Galaxy

银河微电

FIR4P06LTG

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:2.88383 Mbytes 页数:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

LMTM4P06

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.00162 Mbytes 页数:6 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

MTD4P06

POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:177.75 Kbytes 页数:5 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

技术参数

  • AEC Qualified:

    YES

  • Pb Free:

    YES

  • Halide free:

    YES

  • Reach:

    YES

  • RoHS:

    YES

  • Marketing Status:

    Active

  • Configuration:

    Single

  • Channel Polarity:

    P

  • ESD:

    N

  • TJ(°C)max.:

    150

  • TJ(°C)min.:

    -55

  • PD(W)Max.:

    3.1

  • V(BR)DSS(V)Min.:

    -60

  • VGS(V)Max.:

    ±20

  • ID(A)Max.:

    -4

  • IGSS(uA)Max.:

    ±0.1

  • VGS(th)(V)Max.:

    -3

  • RDS(on)(mΩ)@10VTyp.:

    70

  • RDS(on)(mΩ)@10VMax.:

    90

  • RDS(on)(mΩ)@4.5VTyp.:

    100

  • RDS(on)(mΩ)@4.5VMax.:

    135

  • ECCN(US):

    EAR99

  • Category:

    中低压功率MOS

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
GALAXY/银河微
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SOT-223
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更多TBL4P06R供应商 更新时间2026-1-17 11:20:00