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TB9408VA_V02	文件：93.75 Kbytes Page：4 Pages	Specification of GaAlAs IR Emitting Diode Chip DESCRIPTION TB9408VAisaninfrared,940nmemittingdiodeinGaAlAs multiquantumwelltechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Anodeisthebondpadontop. FEATURES •Packagetype:chip •Packageform:singlechip •Technology:multiquantumwell(MQW) •Dimensionschip(Lx	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

零件编号

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功能描述

制造商&上传企业

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TB9408VA_V02

文件：93.75 Kbytes

Page：4 Pages

Specification of GaAlAs IR Emitting Diode Chip

DESCRIPTION TB9408VAisaninfrared,940nmemittingdiodeinGaAlAs multiquantumwelltechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Anodeisthebondpadontop. FEATURES •Packagetype:chip •Packageform:singlechip •Technology:multiquantumwell(MQW) •Dimensionschip(Lx

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

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更多TB9408VA_V02供应商更新时间2024-5-2 15:00:00

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