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TPS2110PWR	文件：1.0398 Mbytes Page：24 Pages	AUTOSWITCHINGPOWERMUX	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TSDS2110S	文件：516.799 Kbytes Page：2 Pages	TimeDelayRelays-Dedicated-SingleShot Description TheTSDSSeriesisdesignedformoredemandingcommercial andindustrialapplicationswheresmallsizeandaccurate performancearerequired.Thefactorycalibrationforfixed timedelaysiswithin1ofthetargettimedelay.Therepeat accuracy,understableconditions,is0.5of	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
UM2110	文件：299.03 Kbytes Page：6 Pages	ATTENUATORANDPOWERPINDIODES2??30MHz	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UM2110	文件：113.95 Kbytes Page：3 Pages	PINDIODE DESCRIPTION UM2100SeriesPINdiodesaredesignedfortransmit/receiveswitchandattenuatorapplicationsinHFband(2-30MHz)andbelow.Asseriesconfiguredswitches,theselonglifetime(25μstypical)diodescancontrolupto2.5kW,CWina50ohmsystem.InHFband,insertionlossisless	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UM2110B	文件：2.81601 Mbytes Page：221 Pages	ProductChangeNotification	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
UM2110C	文件：2.81601 Mbytes Page：221 Pages	ProductChangeNotification	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
UN2110	文件：235.97 Kbytes Page：17 Pages	SiliconPNPepitaxialplanertransistor SiliconPNPepitaxialplanartype Fordigitalcircuits ■Features •Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts •Minitypepackageallowingeasyautomaticinsertionthroughtape packingandmagazinepacking	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UNR2110	文件：443.54 Kbytes Page：17 Pages	SiliconPNPepitaxialplanartype SiliconPNPepitaxialplanartype Fordigitalcircuits ■Features •Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts •Minitypepackageallowingeasyautomaticinsertionthroughtape packingandmagazinepacking	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UPG2110TB	文件：149.27 Kbytes Page：3 Pages	L-BANDPADRIVERAMPLIFIER DESCRIPTION NECsUPG2110TBisaGaAsMMICforPAdriveramplifierswithvariablegainfunctionswhichwasdevelopedforL-bandapplications.Thedevicecanoperatewith3.0V,havinghighgainandlowdistortion. FEATURES •LOWVOLTAGEOPERATION:VDD1=VDD2=3.0V, fRF=1850to1910MHz	CEL California Eastern Labs	CEL
UPG2110TB	文件：87.38 Kbytes Page：12 Pages	L-BANDPADRIVERAMPLIFIER DESCRIPTION TheµPG2106TBandµPG2110TBareGaAsMMICforPAdriveramplifierwithvariablegainfunctionwhichweredevelopedforPDC(PersonalDigitalCellularinJapan)andanotherL-bandapplication.Thedevicecanoperatewith3.0V,havingthehighgainandlowdistortion.TheµPG2106TBis	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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详细参数

型号：
TB2110F
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
PLL For DTS

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