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TB0640M	文件：187.31 Kbytes Page：4 Pages	50A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE Features • 50A Peak Pulse Current @ 10/1000μs • 250A Peak Pulse Current @ 8/20μs • 58 - 320V Stand-Off Voltages • Oxide-Glass Passivated Junction • Bidirectional Protection In a Single Device • High Off-State impedance and Low On-State Voltage • Helps Equipment Meet GR-1089-CORE, IEC 61000- 文件：187.31 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
TB0640M	文件：47.4 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE Bi-Directional VDRM - 58 to 320 Volts IPP - 50 Amperes FEATURES ● Oxide Glass Passivated Junction ● Bidirectional protection in a single device ● Surge capabilities up to 50A @10/1000us or 250A @8/20us ● High off state Impedance and low on state voltage ● Plastic material has UL flammab 文件：47.4 Kbytes 页数：4 Pages	LITEON 光宝科技	LITEON
TB0640M	文件：1.55788 Mbytes Page：3 Pages	THYRISTOR SURGE SUPPRESSORS Features ● 50A Peak Pulse Current @ 10/1000ms ● 250A Peak Pulse Current @ 8/20ms ● 58 - 320V Stand-Off Voltages ● Oxide-Glass Passivated Junction ● Bi-Directional Protection In a Single Device ● High Off-State impedance and Low On-State Voltage 文件：1.55788 Mbytes 页数：3 Pages	SUNMATE 森美特	SUNMATE
TB0640M	文件：677.534 Kbytes Page：3 Pages	58V Lightning proof pipe 文件：677.534 Kbytes 页数：3 Pages	SUNMATE 森美特 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
TB0640M	文件：76.63 Kbytes Page：4 Pages	50A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE 文件：76.63 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
TB0640M	文件：114.05 Kbytes Page：5 Pages	50A BIDIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR DUAL NPN TRANSISTOR 文件：114.05 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
TB0640M-13	文件：187.31 Kbytes Page：4 Pages	50A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE Features • 50A Peak Pulse Current @ 10/1000μs • 250A Peak Pulse Current @ 8/20μs • 58 - 320V Stand-Off Voltages • Oxide-Glass Passivated Junction • Bidirectional Protection In a Single Device • High Off-State impedance and Low On-State Voltage • Helps Equipment Meet GR-1089-CORE, IEC 61000- 文件：187.31 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
TB0640M_1	文件：76.63 Kbytes Page：4 Pages	50A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE 文件：76.63 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
TB0640M_10	文件：114.05 Kbytes Page：5 Pages	50A BIDIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR DUAL NPN TRANSISTOR 文件：114.05 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
TB0640M-13-F	文件：76.63 Kbytes Page：4 Pages	50A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE 文件：76.63 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Off-State Capacitance CO：
140 pF
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM：
58 V
Off-State Leakage Current @ VDRM：
5 µA
On-State Voltage @ IT = 1A VT：
3.5 V
Breakover Current IBO Min：
50 mA
Breakover Current IBO Max：
800 mA
Holding Current IH Min：
150 mA
Holding Current IH Max：
800 mA
Packages：
SMB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TB0640M供应商更新时间2025-10-4 13:30:00

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