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SMK0460D	文件：1.07871 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SMK0460D	文件：334.56 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGREGULATORAPPLICATION	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SMK0460F	文件：1.06987 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SMK0460F	文件：552.27 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGREGULATORAPPLICATIONS SWITCHINGREGULATORAPPLICATIONS Features •HighVoltage:BVDSS=600V(Min.) •LowCrss:Crss=9.8pF(Typ.) •Lowgatecharge:Qg=12nC(Typ.) •LowRDS(on):RDS(on)=2.5Ω(Max.)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SMK0460F	文件：552.27 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGREGULATORAPPLICATIONS	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SMK0460FG	文件：365.22 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedN-ChPowerMOSFET	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SMK0460I	文件：372.55 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGREGULATORAPPLICATIONS	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SMK0460I	文件：443.1 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGREGULATORAPPLICATIONS SWITCHINGREGULATORAPPLICATIONS Features HighVoltage:BVDSS=600V(Min.) LowCrss:Crss=9.8pF(Typ.) Lowgatecharge:Qg=12nC(Typ.) LowRDS(on):RDS(on)=2.5Ω(Max.)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SMK0460IS	文件：348.82 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedN-ChPowerMOSFET SWITCHINGREGULATORAPPLICATION Features Drain-Sourcebreakdownvoltage:BVDSS=600V(Min.) Lowgatecharge:Qg=12nC(Typ.) Lowdrain-sourceOnresistance:RDS(on)=2.1Ω(Typ.) 100avalanchetested RoHScompliantdevice	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SMK0460IS	文件：1.99662 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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