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SMK0460D	文件：334.56 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING REGULATOR APPLICATION	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SMK0460D	文件：1.07871 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SMK0460F	文件：1.06987 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SMK0460F	文件：552.27 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGREGULATORAPPLICATIONS SWITCHINGREGULATORAPPLICATIONS Features •HighVoltage:BVDSS=600V(Min.) •LowCrss:Crss=9.8pF(Typ.) •Lowgatecharge:Qg=12nC(Typ.) •LowRDS(on):RDS(on)=2.5Ω(Max.)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SMK0460F	文件：552.27 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGREGULATORAPPLICATIONS	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SMK0460FG	文件：365.22 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedN-ChPowerMOSFET	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SMK0460I	文件：372.55 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGREGULATORAPPLICATIONS	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SMK0460I	文件：443.1 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGREGULATORAPPLICATIONS SWITCHINGREGULATORAPPLICATIONS Features HighVoltage:BVDSS=600V(Min.) LowCrss:Crss=9.8pF(Typ.) Lowgatecharge:Qg=12nC(Typ.) LowRDS(on):RDS(on)=2.5Ω(Max.)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SMK0460IS	文件：1.99662 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SMK0460IS	文件：348.82 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedN-ChPowerMOSFET SWITCHINGREGULATORAPPLICATION Features Drain-Sourcebreakdownvoltage:BVDSS=600V(Min.) Lowgatecharge:Qg=12nC(Typ.) Lowdrain-sourceOnresistance:RDS(on)=2.1Ω(Typ.) 100avalanchetested RoHScompliantdevice	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI

详细参数

型号：
SMK0460D
制造商：
KODENSHI
制造商全称：
KODENSHI KOREA CORP.
功能描述：
SWITCHING REGULATOR APPLICATION

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