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TAV2-501+分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

TAV2-501+

参数属性

TAV2-501+ 封装/外壳为8-TFDFN 裸露焊盘;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:SMT LOW NOISE AMPLIFIER, 400 - 3

功能描述

E-PHEMT
SMT LOW NOISE AMPLIFIER, 400 - 3

封装外壳

8-TFDFN 裸露焊盘

文件大小

651.34 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

MINI

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更新时间

2025-11-20 15:32:00

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TAV2-501+规格书详情

TAV2-501+属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由Mini-Circuits制造生产的TAV2-501+晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    TAV2-501+

  • 制造商:

    Mini-Circuits

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    E-pHEMT

  • 频率:

    400MHz ~ 3.9GHz

  • 增益:

    23.5dB

  • 额定电流(安培):

    500nA

  • 噪声系数:

    1.3dB @ 2GHz

  • 封装/外壳:

    8-TFDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    MC1631-1

  • 描述:

    SMT LOW NOISE AMPLIFIER, 400 - 3

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