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TAV2-14LN分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

TAV2-14LN
厂商型号

TAV2-14LN

参数属性

TAV2-14LN 封装/外壳为6-TDFN 裸露焊盘;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF MOSFET E-PHEMT 4V

功能描述

E-PHEMT Transistor
RF MOSFET E-PHEMT 4V

丝印标识

MCLT214

封装外壳

MC1630-1 / 6-TDFN 裸露焊盘

文件大小

5.64998 Mbytes

页面数量

19

生产厂商

MINI

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更新时间

2025-8-6 16:02:00

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TAV2-14LN规格书详情

TAV2-14LN属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由Mini-Circuits制造生产的TAV2-14LN晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    TAV2-14LN+

  • 制造商:

    Mini-Circuits

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    E-pHEMT

  • 频率:

    50MHz ~ 10GHz

  • 增益:

    23.4dB

  • 额定电流(安培):

    2µA

  • 噪声系数:

    2.5dB @ 50MHz

  • 功率 - 输出:

    19.4dBm

  • 封装/外壳:

    6-TDFN 裸露焊盘

  • 描述:

    RF MOSFET E-PHEMT 4V

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