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TSL2521	文件：1.48478 Mbytes Page：81 Pages	HighlySensitiveAmbientLightSensorwithSelectiveFlickerDetectionandFastSamplingforBrightnessControlorAuxiliarytoCamera Features •Configurable,highsensitivity •Programmablegainandintegrationtime •4096xdynamicrangebygainadjustmentonly •1mluxdetectableilluminance •TailoredALSresponse •UV/IRblockingfilterforClearchannel •ALSinterruptwiththresholds •Flicker-immuneALSsensingwit	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
TZ2521A	文件：421.68 Kbytes Page：8 Pages	CrystalUnitSMD3.2x2.525.00MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount3.2mmx2.5mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TZ2521C	文件：143.31 Kbytes Page：7 Pages	CrystalUnitSMD3.2x2.525.00MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount3.2mmx2.5mmcrystalunitforcustomerforuseinwirelesscommunications devices,espec	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
UPA2521	文件：357.18 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2521isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforDC/DCconverterandpowermanagement applicationsofportableequipments. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=16.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=8.0A) RDS(on)2=25mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=4.0A) •Bui	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
VOS-E-2521	文件：147.59 Kbytes Page：4 Pages	PositionSensors2-WIREPOSITIONTRANSMITTER	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
VOS-E-2521/C	文件：147.59 Kbytes Page：4 Pages	PositionSensors2-WIREPOSITIONTRANSMITTER	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM

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