TAN350分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
TAN350 |
| 参数属性 | TAN350 封装/外壳为55ST；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55ST |
| 功能描述 | 350 Watts, 50 Volts, Pulsed Avionics 960 - 1215 MHz |
| 封装外壳 | 55ST |
| 文件大小 |
117.02 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | List of Unclassifed Manufacturers |
| 企业简称 |
ETC |
| 中文名称 | 未分类制造商 |
| 原厂标识 | ETC |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 17:24:00 |
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TAN350规格书详情
[GHz-Technology]
GENERAL DESCRIPTION
The TAN 350 is a high power COMMON BASE bipolar transistor. It is designed for pulsed systems in the frequency band 960-1215 MHz. The device has gold thin-film metallization and diffused ballasting for proven highest MTTF. The transistor includes input and output prematch for broadband capability. Low thermal resistance package reduces junction temperature, extends life.
产品属性
- 产品编号：
TAN350
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
65V
- 频率 - 跃迁：
960MHz ~ 1.215GHz
- 增益：
7dB ~ 7.5dB
- 功率 - 最大值：
1450W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 1A，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
40A
- 工作温度：
230°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
55ST
- 供应商器件封装：
55ST
- 描述：
RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55ST
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
矽速 |
2 |
询价 | |||||
TASUND |
23+ |
SOT-363 |
45000 |
原装正品现货 |
询价 | ||
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23+ |
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15000 |
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询价 | ||
ALCATEL |
25+23+ |
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55ST |
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Description |
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