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TIP106	文件：97.95 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICMEDIUM-POWERCOPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS 8AmpereDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS80WATTS TIP100,TIP101,TIP102-->NPN TIP105,TIP106,TIP107-->PNP	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
TIP106	文件：102.96 Kbytes Page：3 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyaredesignedforgeneralpurposeamplifierandlow-speedswitchingapplications. NPNcomplementsareTIP100-101-102 CompliancetoRoHS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
TIP106	文件：138.03 Kbytes Page：7 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP106	文件：95.19 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPDarlingtonPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
TIP106	文件：550.61 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconDarlingtonTransistor MonolithicConstructionWithBuiltInBaseEmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-3A(Min.) •Collector-EmitterSustainingVoltage •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •IndustrialUse •ComplementarytoTIP100/101/102	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TIP106	文件：550.61 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconDarlingtonTransistor MonolithicConstructionWithBuiltInBaseEmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-3A(Min.) •Collector-EmitterSustainingVoltage •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •IndustrialUse •ComplementarytoTIP100/101/102	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TIP106	文件：241.38 Kbytes Page：4 Pages	DarlingtonPowerTransistors(PNP) DarlingtonPowerTransistors(PNP) Features •Designedforgeneral-purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications •RoHSCompliant	TAITRON TAITRON	TAITRON
TIP106	文件：87.6 Kbytes Page：7 Pages	PlasticMedium?뭁owerComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP106	文件：76.15 Kbytes Page：3 Pages	TO-220-PowerTransistorsandDarlingtons	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
TIP106	文件：134.01 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPDarlingtonPowerTransistors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TIP106G	文件：138.03 Kbytes Page：7 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP106G	文件：87.6 Kbytes Page：7 Pages	PlasticMedium?뭁owerComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP106PNP	文件：320.51 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinLinearSwitchingApplications	CDIL CDIL	CDIL
TLK106	文件：1.50483 Mbytes Page：99 Pages	IndustrialTemp,SinglePort10/100MbsEthernetPhysicalLayerTransceiver	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TLK106	文件：1.57054 Mbytes Page：104 Pages	TLK105TLK106IndustrialTemp,SinglePort10/100MbsEthernetPhysicalLayer	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
TLK106L	文件：1.55962 Mbytes Page：105 Pages	IndustrialTemp,SinglePort10/100MbsEthernetPhysicalLayerTransceiver	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
TLK106LRHBR	文件：1.55962 Mbytes Page：105 Pages	IndustrialTemp,SinglePort10/100MbsEthernetPhysicalLayerTransceiver	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
TLK106LRHBT	文件：1.55962 Mbytes Page：105 Pages	IndustrialTemp,SinglePort10/100MbsEthernetPhysicalLayerTransceiver	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
TLK106RHBR	文件：1.57054 Mbytes Page：104 Pages	TLK105TLK106IndustrialTemp,SinglePort10/100MbsEthernetPhysicalLayer	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
TLK106RHBT	文件：1.57054 Mbytes Page：104 Pages	TLK105TLK106IndustrialTemp,SinglePort10/100MbsEthernetPhysicalLayer	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1

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晶体管资料

型号：
TAG106E
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
50HZ－Thy
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
500V
最大电流允许值：
2.2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
C106…1,C108…,TAG108…,Z0403…,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
A-83
vtest：
500
htest：
999900
atest：
2.2
wtest：
0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TAG106E供应商更新时间2024-5-17 13:52:00

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