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TA8020AS	文件：165.58 Kbytes Page：5 Pages	DUAL VOLTAGE SENSOR	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
8020	文件：149.46 Kbytes Page：1 Pages	T1/E1ExtendedTemperatureRangeSMDSingleTransformers	FILTRAN FILTRAN Group
8020	文件：160.15 Kbytes Page：2 Pages	NavigationControllerUnit(NCU)	SONARDYNESonardyne sound in depth Sonardyne sound in depth
8020	文件：1.20631 Mbytes Page：17 Pages	Snap-actingMomentaryPushbuttonSwitches	CK-COMPONENTS C&K Components
8020	文件：57.59 Kbytes Page：1 Pages	RadialLeadThermalCutoff	NTE NTE Electronics, Inc
8020	文件：3.23336 Mbytes Page：17 Pages	Snap-actingMomentaryPushbuttonSwitches Features/Benefits •Positivetactilefeel •Multi-positionsavailable •Widevarietyofterminationoptions •Epoxyterminalsealcompatiblewithbottomwashcleaning •RoHScompliantmodelsavailable TypicalApplications •Instrumentation •Computerperipherals •Telecommunicationsequ	CK-COMPONENTS C&K Components
8020	文件：149.33 Kbytes Page：2 Pages	BusBarWire,#20SolTC ProductDescription BusBarWire,20AWG(Solid)TinnedCopper,QQ-W-343G	BELDEN Belden Inc.
ADNS-8020	文件：1.15904 Mbytes Page：38 Pages	Track-on-GlassLaserSensor	Pixart原相科技股份有限公司原相科技
AND8020	文件：173.24 Kbytes Page：18 Pages	TerminationofECLLogicDeviceswithEF(EmitterFollower)OUTPUTStructure	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AND8020D	文件：173.24 Kbytes Page：18 Pages	TerminationofECLLogicDeviceswithEF(EmitterFollower)OUTPUTStructure	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AND8020D	文件：156.81 Kbytes Page：11 Pages	3.3V/5VECL2-InputDifferentialXOR/XNOR Description TheMC10/100EP08isadifferentialXOR/XNORgate.TheEP08isidealforapplicationsrequiringthefastestACperformanceavailable. The100Seriescontainstemperaturecompensation. Features •250psTypicalPropagationDelay •MaximumFrequency>3GHzTypical •PECLModeOpera	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
AOZ8020	文件：343.63 Kbytes Page：7 Pages	8-LineEMIFilterwithIntegratedESDProtection GeneralDescription TheAOZ8020isan8-linedeviceintegratingEMIfilteringwithESDprotectionforeachline.ItisdesignedtosuppressunwantedEMI/RFIsignalsandprovideelectrostaticdischarge(ESD)protectioninportableelectronicequipment.Thisstate-of-the-artdeviceutilizesAOSl	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
APT8020JFLL	文件：263.64 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS. POWERMOS7®FREDFET PowerMOS7®isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7®bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7®combineslowerconductionandswitchinglossesalo	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
APT8020JFLL	文件：71.34 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS. POWERMOS7™FREDFET PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7TMbysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7TMcombineslowerconductionandswitchinglossesa	ADPOW Advanced Power Technology
APT8020JLL	文件：69.79 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.	ADPOW Advanced Power Technology
APT8020LFLL	文件：71.72 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS. POWERMOS7™FREDFET PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7TMbysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7TMcombineslowerconductionandswitchinglossesa	ADPOW Advanced Power Technology
APT8020LFLL	文件：251.27 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS. POWERMOS7®FREDFET PowerMOS7®isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7®bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7®combineslowerconductionandswitchinglossesalo	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
APT8020LFLL	文件：328.44 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=38A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
APT8020LLL	文件：328.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=38A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
APT8020LLL	文件：160.4 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.	ADPOW Advanced Power Technology

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详细参数

型号：
TA8020AS
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
DUAL VOLTAGE SENSOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市百视威讯电子科技有限公司	TA8020AS		23+	N/A	49300	正品授权货源可靠	询价
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更多TA8020AS供应商更新时间2024-4-27 10:20:00

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