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TA8106	文件：420.66 Kbytes Page：8 Pages	STEREO HEADPHONE POWER AMPLIFIER (1.5V USE)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
TA8106F	文件：420.66 Kbytes Page：8 Pages	STEREO HEADPHONE POWER AMPLIFIER (1.5V USE)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
8106	文件：161.75 Kbytes Page：2 Pages	TsunamiDetectionSystem	SONARDYNESonardyne sound in depth Sonardyne sound in depth
8106	文件：393.44 Kbytes Page：1 Pages	MARCREMOVABLEPINSOCKETCONTACTS	WinchesterWinchester Electronics 温彻斯特温彻斯特电子
8106	文件：365.47 Kbytes Page：2 Pages	LowCapacitanceforEIARS-232andEIARS-422Applications	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
8106	文件：204.28 Kbytes Page：2 Pages	RS232/422LowCap,#24-6pr,FPO,O/AFoilBraid,PVCJkt,CM,100Ω ProductDescription ComputerEIARS-232/422Cable,24AWGstranded(7x32)tinnedcopperconductors,Datalene®insulation,twistedpairs,overallBeldfoil®(100coverage)+ tinnedcopperbraidshield(65coverage),24AWGstrandedtinnedcopperdrainwire,PVCjacket.	BELDEN Belden Inc.
8106-RC	文件：103.77 Kbytes Page：1 Pages	CommonModeInductors(withOptionalHeader)Dielectricstrength:1500Vrms	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
8106SB	文件：393.44 Kbytes Page：1 Pages	MARCREMOVABLEPIN&SOCKETCONTACTS	WinchesterWinchester Electronics 温彻斯特温彻斯特电子
AD8106	文件：571.01 Kbytes Page：28 Pages	260MHz,16횞5BufferedVideoCrosspointSwitches GENERALDESCRIPTION TheAD8106andAD8107arehighspeed,16×5videocrosspointswitchmatrices.Theyoffera−3dBsignalbandwidthgreaterthan260MHz,andchannelswitchtimesoflessthan25nswith1settling.With−78dBofcrosstalkand−97dBisolation(@5MHz),theAD8106/AD8107are	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD8106	文件：416.87 Kbytes Page：22 Pages	VideoCrosspointSwitches	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD8106ASTZ	文件：416.87 Kbytes Page：22 Pages	VideoCrosspointSwitches	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD8106ASTZ	文件：571.01 Kbytes Page：28 Pages	260MHz,16횞5BufferedVideoCrosspointSwitches GENERALDESCRIPTION TheAD8106andAD8107arehighspeed,16×5videocrosspointswitchmatrices.Theyoffera−3dBsignalbandwidthgreaterthan260MHz,andchannelswitchtimesoflessthan25nswith1settling.With−78dBofcrosstalkand−97dBisolation(@5MHz),theAD8106/AD8107are	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD8106-EB	文件：571.01 Kbytes Page：28 Pages	260MHz,16횞5BufferedVideoCrosspointSwitches GENERALDESCRIPTION TheAD8106andAD8107arehighspeed,16×5videocrosspointswitchmatrices.Theyoffera−3dBsignalbandwidthgreaterthan260MHz,andchannelswitchtimesoflessthan25nswith1settling.With−78dBofcrosstalkand−97dBisolation(@5MHz),theAD8106/AD8107are	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADL8106	文件：1.91738 Mbytes Page：26 Pages	GaAs,pHEMT,LowNoiseAmplifier,18GHzto54GHz GENERALDESCRIPTION TheADL8106isagalliumarsenide(GaAs),pseudomorphichigh electronmobilitytransfer(pHEMT),monolithicmicrowaveintegrated circuit(MMIC),widebandlownoiseamplifierthatoperatesfrom 18GHzto54GHz.Allthetypicallyrequiredexternalpassive componentsforope	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADL8106ACEZ	文件：1.91738 Mbytes Page：26 Pages	GaAs,pHEMT,LowNoiseAmplifier,18GHzto54GHz GENERALDESCRIPTION TheADL8106isagalliumarsenide(GaAs),pseudomorphichigh electronmobilitytransfer(pHEMT),monolithicmicrowaveintegrated circuit(MMIC),widebandlownoiseamplifierthatoperatesfrom 18GHzto54GHz.Allthetypicallyrequiredexternalpassive componentsforope	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADL8106CHIPS	文件：2.57045 Mbytes Page：28 Pages	GaAs,pHEMT,LowNoiseAmplifier,20GHzto54GHz GENERALDESCRIPTION TheADL8106isagalliumarsenide(GaAs),pseudomorphichigh electronmobilitytransfer(pHEMT),monolithicmicrowaveintegrated circuit(MMIC),widebandlownoiseamplifierthatoperatesfrom 20GHzto54GHz.TheADL8106providesagainof21.5dB,an outputpowerfor1	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADL8106CHIPS-SX	文件：2.57045 Mbytes Page：28 Pages	GaAs,pHEMT,LowNoiseAmplifier,20GHzto54GHz GENERALDESCRIPTION TheADL8106isagalliumarsenide(GaAs),pseudomorphichigh electronmobilitytransfer(pHEMT),monolithicmicrowaveintegrated circuit(MMIC),widebandlownoiseamplifierthatoperatesfrom 20GHzto54GHz.TheADL8106providesagainof21.5dB,an outputpowerfor1	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADL8106-EVALZ	文件：1.91738 Mbytes Page：26 Pages	GaAs,pHEMT,LowNoiseAmplifier,18GHzto54GHz GENERALDESCRIPTION TheADL8106isagalliumarsenide(GaAs),pseudomorphichigh electronmobilitytransfer(pHEMT),monolithicmicrowaveintegrated circuit(MMIC),widebandlownoiseamplifierthatoperatesfrom 18GHzto54GHz.Allthetypicallyrequiredexternalpassive componentsforope	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
BY8106	文件：54.58 Kbytes Page：10 Pages	Veryfasthigh-voltagesoft-recoverycontrolledavalancherectifiers DESCRIPTION Ruggedglasspackage,usingahightemperaturealloyedconstruction. Thispackageishermeticallysealedandfatiguefreeascoefficientsofexpansionofallusedpartsarematched. Thepackageisdesignedtobeusedinaninsulatingmediumsuchasresin,oilorSF6gas. FEATURES	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
C8106	文件：25.32 Kbytes Page：1 Pages	TinnedCopperconductor,FEPInsulation,conductorscabled,overallfoilshiedandFEPJacketedPlenumCable	GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司

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详细参数

型号：
TA8106
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
STEREO HEADPHONE POWER AMPLIFIER(1.5V USE)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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