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HM2319A	文件：520.72 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM2319D	文件：803.85 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
KI2319DS	文件：51.01 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel40-V(D-S)MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
ME2319	文件：496.09 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MP2319	文件：1.14164 Mbytes Page：20 Pages	3A,18V,650kHz,High-Efficiency,Synchronous,Step-DownConverterin8-PinTSOT23	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP2319GJ	文件：1.14164 Mbytes Page：20 Pages	3A,18V,650kHz,High-Efficiency,Synchronous,Step-DownConverterin8-PinTSOT23	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP2319GJ	文件：377.45 Kbytes Page：6 Pages	18V/3A,650KHz,StepDownConverterEvaluationBoard	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
NTE2319	文件：26.39 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNTransistorHighVoltage,HighSpeedPowerSwitch Description: TheNTE2319isasiliconNPNtransistorinaTO3typepackagedesignedforhighvoltage,highspeed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Itisparticularlysuitedforline–operatedswitchmodeapplications. Features: •FastTurn–OnTimes@TC=	NTE NTE Electronics	NTE
PAM2319	文件：301.88 Kbytes Page：13 Pages	DualHigh-EfficiencyPWMStep-DownDC-DCCoverter	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
PAM2319	文件：355.6 Kbytes Page：12 Pages	DUALHIGH-EFFICIENCYPWMSTEP-DOWNDC-DCCONVERTER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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深圳市中福国际管理有限公司	TA2320AN	ST	21+	DIP8	23480		询价
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