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UPG2031TQ	文件：357.89 Kbytes Page：7 Pages	NECsL-BANDSP3TSWITCH	CEL California Eastern Labs	CEL
UPG2031TQ	文件：301.71 Kbytes Page：10 Pages	GaAsINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Lowinsertionloss:LINS=0.45dBTYP.@Vcont=2.8V/0V,f=1.0GHz :LINS=0.55dBTYP.@Vcont=2.8V/0V,f=2.0GHz •Highisolation:ISL=21dBTYP.@Vcont=2.8V/0V,f=2.0GHz •Highpower:Pin(0.1dB)=33.0dBmTYP.@Vcont=2.8V/0V,f=1.0GHz •High-	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPG2031TQ	文件：99.33 Kbytes Page：8 Pages	L-BANDSP3TSWITCH	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UTOUTC2031	文件：178.35 Kbytes Page：6 Pages	Thin-FilmCascadableAmplifier1to2000MHz	TELEDYNETeledyne Technologies Incorporated 华特力科	TELEDYNE
VL-CBR-2031	文件：1.49432 Mbytes Page：4 Pages	EmbeddedProcessingUnit	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
WPM2031	文件：729.62 Kbytes Page：6 Pages	SingleP-Channel,-20V,-0.65A,PowerMOSFET	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.Shanghai 韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司	WILLSEMI
ZXTN2031F	文件：535.61 Kbytes Page：6 Pages	50V,SOT23,NPNmediumpowertransistor Description Advancedprocesscapabilityandpackagedesignhavebeenusedtomaximizethepowerhandlingandperformanceofthissmalloutlinetransistor.Thecompactsizeandratingsofthisdevicemakeitideallysuitedtoapplicationswherespaceisatapremium. Feature •Higherpowerdissi	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
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ZXTN2031FTA	文件：539.49 Kbytes Page：6 Pages	50V,SOT23,NPNmediumpowertransistor Features •BVCEO>50V •BVCEV>80VForwardBlockingVoltage •IC=5AhighContinuousCollectorCurrent •ICM=12APeakCollectorCurrent •LowSaturationVoltage,VCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXTN2031FTA	文件：535.61 Kbytes Page：6 Pages	50V,SOT23,NPNmediumpowertransistor Description Advancedprocesscapabilityandpackagedesignhavebeenusedtomaximizethepowerhandlingandperformanceofthissmalloutlinetransistor.Thecompactsizeandratingsofthisdevicemakeitideallysuitedtoapplicationswherespaceisatapremium. Feature •Higherpowerdissi	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex

详细参数

型号：
TA2031F
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
CD FOCUS TRACKING SERVO LSI

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