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TA1870DN	文件：333.92 Kbytes Page：8 Pages	SAW Filter 1960 MHz 60MHz BW Band 2 SMD 1.1x0.9 mm	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TVCO-1870	文件：555.51 Kbytes Page：4 Pages	SMDVOLTAGECONTROLLEDOSCILLATOR(12.8X12.8X4.0MM) FEATURES WIDEFREQUENCYRANGEVCO LOWPHASENOISE FASTDELIVERY/LOWCOST CUSTOMFREQUENCYRANGEAVAILABLE-CONTACTSALES@TRANSKO.COM	Transko Transko Electronics, Inc.	Transko
UM1870	文件：2.15888 Mbytes Page：58 Pages	BlueNRG-MSdevelopmentkits	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
UPA1870	文件：290.75 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA1870isaswitchingdevicewhichcanbe drivendirectlybya2.5-Vpowersource. TheμPA1870featuresalowon-stateresistanceand excellentswitchingcharacteristics,andissuitablefor applicationssuchaspowerswitchofportablemachine andsoon. FEATURES •Canbe	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1870	文件：82.4 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA1870isaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybya2.5-Vpowersource. TheµPA1870featuresalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •Canbedri	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1870B	文件：215.83 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA1870Bisaswitchingdevicewhichcanbedriven directlybya2.5Vpowersource. TheμPA1870Bfeaturesalowon-stateresistanceand excellentswitchingcharacteristics,andissuitablefor applicationssuchaspowerswitchofportablemachineand soon. FEATURES •2.5	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1870B	文件：85.32 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA1870Bisaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybya2.5Vpowersource. TheµPA1870Bfeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •2.5Vdr	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1870BGR	文件：937.49 Kbytes Page：8 Pages	DualN-ChannelMOSFET FEATURES •Halogen-freeOptionAvailable •TrenchFET®PowerMOSFETs	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UPA1870GR	文件：965.31 Kbytes Page：8 Pages	DualN-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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