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UPA1728	文件：295.64 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Singlechiptype •Lowon-stateresistance RDS(on)1=19mΩTYP.(VGS=10V,ID=4.5A) RDS(on)2=23mΩTYP.(VGS=4.5V,ID=4.5A) RDS(on)3=24mΩTYP.(VGS=4.0V,ID=4.5A) •LowCiss:Ciss=1700pFTYP. •Built-inG-Sprotectio	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1728	文件：39.08 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1728isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Singlechiptype •LowOn-stateResistance RDS(on)1=19mΩ(TYP.)(VGS=10V,ID=4.5A) RDS(on)2=23mΩ(TYP.)(VGS=4.5V,ID=4.5A) RDS(on)3=24	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1728G	文件：996.41 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UPA1728G	文件：295.64 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Singlechiptype •Lowon-stateresistance RDS(on)1=19mΩTYP.(VGS=10V,ID=4.5A) RDS(on)2=23mΩTYP.(VGS=4.5V,ID=4.5A) RDS(on)3=24mΩTYP.(VGS=4.0V,ID=4.5A) •LowCiss:Ciss=1700pFTYP. •Built-inG-Sprotectio	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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