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UDZSTE-1715B	文件：159.46 Kbytes Page：5 Pages	Constantvoltagecontrol	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
UP1715	文件：221.01 Kbytes Page：13 Pages	High-EfficiencySynchronous-RectifiedBuckConverter	UPI uPI Semiconductor Corp	UPI
UP1715R	文件：189.3 Kbytes Page：12 Pages	High-EfficiencySynchronous-RectifiedBuckConverter	UPI uPI Semiconductor Corp	UPI
UPA1715	文件：67.75 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=8.5mΩTYP.(VGS=–10V,ID=–6.0A) RDS(on)2=11.0mΩTYP.(VGS=–4.5	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1715	文件：229.08 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·Lowon-resistance RDS(on)1=8.5mWTYP.(VGS=–10V,ID=–6.0A) RDS(on)2=11.0mWTYP.(VGS=–4.5V,ID=–6.0A) RDS(on)3=12.0mWTYP.(VGS=–4.0V,ID=–6.0A) ·LowCiss:Ciss=3800pFTYP. ·Built-inG-Sprotect	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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