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PDTA113ES	文件：235.87 Kbytes Page：19 Pages	丝印：TA113E；Package：SC-43A；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW Features * Built-in bias resistors * Simplifies circuit design * Reduces component count * Reduces pick and place costs 文件：235.87 Kbytes 页数：19 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PDTA113ZS	文件：236.59 Kbytes Page：19 Pages	丝印：TA113Z；Package：SC-43A；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 10 kW Features * Built-in bias resistors * Simplifies circuit design * Reduces component count * Reduces pick and place costs 文件：236.59 Kbytes 页数：19 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PDTA114TS	文件：202.93 Kbytes Page：12 Pages	丝印：TA114T；Package：SC-43A；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kW, R2 = open Features * 100 mA output current capability * Built-in bias resistors * Simplifies circuit design * Reduces component count * Reduces pick and place costs 文件：202.93 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PDTA115ES	文件：422.65 Kbytes Page：15 Pages	丝印：TA115E；Package：SC-43；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kΩ, R2 = 100 kΩ FEATURES •Built-in bias resistors •Simplified circuit design •Reduction of component count •Reduced pick and place costs. APPLICATIONS •General purpose switching and amplification •Inverter and interface circuits •Circuit driver. 文件：422.65 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PDTA115ES	文件：93.83 Kbytes Page：14 Pages	丝印：TA115E；Package：SOT-54；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kΩ, R2 = 100 kΩ DESCRIPTION PNP resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details). FEATURES • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Re 文件：93.83 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI
PDTA115ES	文件：189.96 Kbytes Page：14 Pages	丝印：TA115E；Package：SOT-54；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 k廓, R2 = 100 k廓 DESCRIPTION PNP resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details). FEATURES • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs. APPLICATIONS • General purpose switching and amplif 文件：189.96 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
PDTA115TS	文件：224.95 Kbytes Page：18 Pages	丝印：TA115T；Package：SC-43A；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = open Features * Built-in bias resistors * Simplifies circuit design * Reduces component count * Reduces pick and place costs 文件：224.95 Kbytes 页数：18 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
TA1100A	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF SAW Filters	TAI-SAW 嘉硕科技	TAI-SAW
TA1100L	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶闸管浪涌保护器 - Surface Mount TSPD	Liteon 光宝科技	Liteon
TA1101	文件：300 bytes Page：1 Pages	RTD温度变送器	IFM 易福门电子	IFM

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晶体管资料

型号：
TA114TE
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
RN2111,UN9115,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.3

产品属性

产品编号：
TA11
制造商：
FLIR
类别：
测试与计量 > 配件
系列：
TA
包装：
散装
类型：
万用表
配件类型：
箱
配套使用/相关产品：
CM7x，CM8x 시리즈
描述：
PROTECTIVE CASE FOR CM7X AND CM8

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