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TA115E	文件：93.83 Kbytes Page：14 Pages	型号：PDTA115ES；Package：SOT-54；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Re	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
TA115E	文件：189.96 Kbytes Page：14 Pages	型号：PDTA115ES；Package：SOT-54；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 k廓, R2 = 100 k廓 DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif	ETC	ETC
TA115E	文件：422.65 Kbytes Page：15 Pages	型号：PDTA115ES；Package：SC-43；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kΩ, R2 = 100 kΩ FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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型号：PDTA115ES；Package：SOT-54；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW

PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Re

PHIPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

PHI

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型号：PDTA115ES；Package：SOT-54；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 k廓, R2 = 100 k廓

DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif

ETC

TA115E

文件：422.65 Kbytes

Page：15 Pages

型号：PDTA115ES；Package：SC-43；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kΩ, R2 = 100 kΩ

FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Inverterandinterfacecircuits •Circuitdriver.

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

详细参数

型号：
TA115E
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS BISS AMMO LARGE
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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