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MTD6N15T4	文件：88.65 Kbytes Page：8 Pages	PowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTD6N15T4G	文件：125.12 Kbytes Page：6 Pages	N?묬hannelEnhancement?묺odeSiliconGate	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTD6N15T4G	文件：1.00989 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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文件：88.65 Kbytes

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N-Channel200V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch

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