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| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
HighSpeedSwitchingApplications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
CategoryTOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSII)/Category HighSpeedSwitchingApplications •Smallpackage •Lowonresistance:Ron=105mΩ(max)(@VGS=4V) Ron=140mΩ(max)(@VGS=2.5V) •High-speedswitching:ton=16ns(typ.) toff=15ns(typ.) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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