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T2SA1162	文件：300 bytes Page：1 Pages	50V,0.15A,General Purpose PNP Bipolar Transistor	Galaxy 银河微电	Galaxy
2SA1162	文件：104.56 Kbytes Page：3 Pages	Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications 文件：104.56 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：270.47 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Low noise:NF=1dB(Typ),10dB(Max). ● Commplementary to 2SC2712. ● Small package. APPLICATIONS ● General purpose application. 文件：270.47 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA1162	文件：391.18 Kbytes Page：3 Pages	Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications 文件：391.18 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

AEC Qualified：
YES
Pb Free：
YES
Halide free：
YES
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Polarity：
PNP
V(BR)CEO(V)min.：
50
IC(A)：
0.15
hFEmin.：
70
hFEmax.：
400
VCE (sat)(V)：
0.3
IB(mA)：
10
fT(MHz)min.：
80
PD(W)max.：
0.15
TJ(°C)max.：
150
TJ(°C)min.：
-55
ECCN(US)：
EAR99
Category：
双极型晶体管

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