PMT200EPE芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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PMT200EPE	文件：290.7 Kbytes Page：15 Pages	丝印：T2EPE；Package：SOT223；70 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic level compatible • Very fast switching • Trench MOSFET technology • 文件：290.7 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

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更多T2EPE供应商更新时间2026-1-17 18:54:00