PMT200EPE芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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PMT200EPE	文件：290.7 Kbytes Page：15 Pages	丝印：T2EPE；Package：SOT223；70 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic level compatible • Very fast switching • Trench MOSFET technology • 文件：290.7 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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中天科工半导体（深圳）有限公司	PMT200EPE	NEXPERIA/安世	25+	SOT223	38313	NEXPERIA/安世全新特价PMT200EPE即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多T2EPE供应商更新时间2025-9-21 14:14:00