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TF2009	文件：177.28 Kbytes Page：2 Pages	ThickFilmResistors	Riedon Riedon Powertron	Riedon
TF2009	文件：306.85 Kbytes Page：2 Pages	ThickFilmResistors	Riedon Riedon Powertron	Riedon
TR2009SF	文件：403.64 Kbytes Page：7 Pages	RECTIFIERDIODE FEATURES ■DoubleSideCooling ■HighSurgeCapability APPLICATIONS ■Rectification ■FreewheelDiode ■DCMotorControl ■PowerSupplies ■Welding ■BatteryChargers	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
TUA2009X	文件：576.68 Kbytes Page：16 Pages	VHFI/VHFII/UHF-TunerIC Features ●Fewexternalcomponents ●Frequencyandamplitude-stableunbalancedoscillatorfortheVHFI-frequencyrange ●Frequencyandamplitude-stablebalancedoscillatorsfortheVHFII-andUHF-frequencyrange ●Optimumdecouplingofinputfrequencyfromoscillator ●Doublebalancedmixer	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
TUA2009XS	文件：576.68 Kbytes Page：16 Pages	VHFI/VHFII/UHF-TunerIC Features ●Fewexternalcomponents ●Frequencyandamplitude-stableunbalancedoscillatorfortheVHFI-frequencyrange ●Frequencyandamplitude-stablebalancedoscillatorsfortheVHFII-andUHF-frequencyrange ●Optimumdecouplingofinputfrequencyfromoscillator ●Doublebalancedmixer	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
UPG2009TB	文件：207.87 Kbytes Page：12 Pages	GaAsINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Lowinsertionloss:LINS=0.25dBTYP.@Vcont1/2=2.8V/0V,f=1.0GHz LINS=0.30dBTYP.@Vcont1/2=2.8V/0V,f=2.0GHz •Highisolation:ISL=28dBTYP.@Vcont1/2=2.8V/0V,f=2.0GHz •Highpower:Pin(0.1dB)=34dBmTYP.@Vcont1/2=2.8V/0V,f=1.0GHz	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPG2009TB	文件：134.62 Kbytes Page：8 Pages	NECsL,S-BAND4WSPDTSWITCH DESCRIPTION TheµPG2009TBisanL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)GaAsFETswitchwhichwasdevelopedfordigitalcellularorcordlesstelephoneapplication.Thedevicecanoperatefrom500MHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolationby2.8Vcontrolvoltage. FEATURES	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG2009TB	文件：547 Kbytes Page：9 Pages	L,S-BandHIGHPOWERSPDTSWITCH DESCRIPTION NECsUPG2009TBisaL,S-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)GaAsFETswitchfordigitalcellularorcordlesstelephoneapplication.Thedevicecanoperatefrom500MHzto2.5GHz,withlowinsertionlossandhighisolation. FEATURES •LOWINSERTIONLOSS: 0.25dBTYP.@Vcont1	CEL California Eastern Labs	CEL
UPG2009TB	文件：86.16 Kbytes Page：10 Pages	L-BANDHIGHPOWERSPDTSWITCH	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UTOUTCPSA2009	文件：159.07 Kbytes Page：6 Pages	Thin-FilmCascadableAmplifier10to2000MHz	TELEDYNETeledyne Technologies Incorporated 华特力科	TELEDYNE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
浙江永芯科技有限公司	T200968	FERRAZ/罗兰熔断器	23+	标准封装	5000	原厂授权一级代理 IGBT模块可控硅晶闸管熔断器质保	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	T2009N	EUPEC	专业模块	MODULE	8513	模块原装主营-可开原型号增税票	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	T2009N	EUPEC/欧派克	23+	MODULE	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	T2009N	EUPEC	24+	MODULE	2100	公司大量全新现货随时可以发货	询价
深圳庞田科技有限公司	T2009N30TOF	INFINEON/英飞凌	2023+	module	48000	AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站	询价
中宸芯科技（深圳）有限公司	T2009N30TOF	Infineon	23+	Tray	500	原装正品	询价
江苏芯钻时代电子科技有限公司	T2009N30TOF	INFINEON	24+	MODULE	1000	全新原装现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	T2009N35TOF	INFINEON	23+		8000	只做原装现货	询价

更多T2009供应商更新时间2025-7-25 9:04:00

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