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US1208CM	文件：39.81 Kbytes Page：7 Pages	1AULTRALOWDROPOUTPOSITIVEADJUSTABLE&FIXEDREGULATOR DESCRIPTION TheUS1206familyofdevicesareultralowdropout1AregulatorsusingPNPtransistorasthepasselement.Theseproductsareidealwhenasingleinputsupplyisavailableonlyandthedropoutvoltageislessthan1V,exceedingtheminimumdropoutcharacteristicsofNPN/PNPhybridreg	UNISEMunisem 友尼森友尼森集团	UNISEM
US1208CS	文件：39.81 Kbytes Page：7 Pages	1AULTRALOWDROPOUTPOSITIVEADJUSTABLE&FIXEDREGULATOR DESCRIPTION TheUS1206familyofdevicesareultralowdropout1AregulatorsusingPNPtransistorasthepasselement.Theseproductsareidealwhenasingleinputsupplyisavailableonlyandthedropoutvoltageislessthan1V,exceedingtheminimumdropoutcharacteristicsofNPN/PNPhybridreg	UNISEMunisem 友尼森友尼森集团	UNISEM
USB-1208FS-PLUS	文件：1.16591 Mbytes Page：7 Pages	12-bitand14-BitMultifunctionDAQDevices Features •Low-costUSBDAQdevices with4differentialor8singleended analoginputs •Maximumsampleratesranging from1.2kS/sto50kS/s •2analogoutputs •16digitalI/O •One32-bitcounterinput channel •Noexternalpowerrequired •Alldevicesavailablewith enclosureand	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
USB-1208FS-PLUS-OEM	文件：1.16591 Mbytes Page：7 Pages	12-bitand14-BitMultifunctionDAQDevices Features •Low-costUSBDAQdevices with4differentialor8singleended analoginputs •Maximumsampleratesranging from1.2kS/sto50kS/s •2analogoutputs •16digitalI/O •One32-bitcounterinput channel •Noexternalpowerrequired •Alldevicesavailablewith enclosureand	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
USB-1208LS	文件：1.16591 Mbytes Page：7 Pages	12-bitand14-BitMultifunctionDAQDevices Features •Low-costUSBDAQdevices with4differentialor8singleended analoginputs •Maximumsampleratesranging from1.2kS/sto50kS/s •2analogoutputs •16digitalI/O •One32-bitcounterinput channel •Noexternalpowerrequired •Alldevicesavailablewith enclosureand	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
VBA1208N	文件：573.46 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel200-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFETs •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBFB1208N	文件：475.51 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBM1208N	文件：674.12 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFETS •175°CJunctionTemperature •NewLowThermalResistancePackage •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •Industrial	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBM1208N	文件：535.25 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBMB1208N	文件：674.29 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
T1208T
功能描述：
变压器音频和信号 T1/E1 XFMR/CHOKE MOD
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
频率范围：
810 MHz to 960 MHz
绝缘电压：
23 dB
工作温度范围：
- 40 C to + 85 C
端接类型：
SMD/SMT
尺寸：
6 mm L x 4.9 mm W x 1.6 mm H
产品：
Splitters and Combiners

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