SZESD8551数据手册电路保护的TVS-二极管规格书PDF

厂商型号 |
SZESD8551 |
参数属性 | SZESD8551 封装/外壳为2-XDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电路保护的TVS-二极管;SZESD8551应用范围:汽车,USB 3.0;产品描述:TVS DIODE 3.3VWM 16VC 2X2DFNW |
功能描述 | Low Capacitance ESD Protection Diodefor High Speed Data Line |
封装外壳 | 2-XDFN |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-12 23:01:00 |
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SZESD8551规格书详情
描述 Description
The ESD8551 ESD protection diodes are designed to protect high
speed data lines from ESD. Ultra−low capacitance and low ESD
clamping voltage make this device an ideal solution for protecting
voltage sensitive high speed data lines.
特性 Features
• Low Capacitance (0.30 pF Max, I/O to GND)
• Protection for the Following IEC Standards:IEC 61000−4−2 (Level 4)ISO10605 330 pF / 2 k? ±30 kV Contact
• Low ESD Clamping Voltage
• SZ Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified andPPAP Capable
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant
应用 Application
• USB 3.0
• MHL 2.0
• eSATA
简介
SZESD8551属于电路保护的TVS-二极管。由制造生产的SZESD8551TVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件,可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管(只能单向导电的元器件)进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor(瞬态电压抑制/抑制器)的首字母缩写。类型包括转向(轨至轨)或齐纳,具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。
技术参数
更多- 产品编号:
SZESD8551MXWT5G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
电路保护 > TVS - 二极管
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 类型:
齐纳
- 电压 - 反向断态(典型值):
3.3V(最大)
- 电压 - 击穿(最小值):
5.5V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):
16V(标准)
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):
16A
- 电源线路保护:
无
- 应用:
汽车,USB 3.0
- 不同频率时电容:
0.3pF @ 1MHz(最大)
- 工作温度:
-55°C ~ 125°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装,可润湿侧翼
- 封装/外壳:
2-XDFN
- 供应商器件封装:
2-X2DFNW(1x0.6)
- 描述:
TVS DIODE 3.3VWM 16VC 2X2DFNW
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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X2DFNW2 |
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ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原装,正品 |
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ON/安森美 |
21+ |
X2DFN-2 |
4540 |
正规渠道原装正品 |
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ON |
23+ |
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