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SZESD8551数据手册电路保护的TVS-二极管规格书PDF

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厂商型号

SZESD8551

参数属性

SZESD8551 封装/外壳为2-XDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电路保护的TVS-二极管;SZESD8551应用范围:汽车,USB 3.0;产品描述:TVS DIODE 3.3VWM 16VC 2X2DFNW

功能描述

Low Capacitance ESD Protection Diodefor High Speed Data Line
TVS DIODE 3.3VWM 16VC 2X2DFNW

封装外壳

2-XDFN

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-12 23:01:00

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SZESD8551规格书详情

描述 Description

The ESD8551 ESD protection diodes are designed to protect high
speed data lines from ESD. Ultra−low capacitance and low ESD
clamping voltage make this device an ideal solution for protecting
voltage sensitive high speed data lines.

特性 Features

• Low Capacitance (0.30 pF Max, I/O to GND)
• Protection for the Following IEC Standards:IEC 61000−4−2 (Level 4)ISO10605 330 pF / 2 k? ±30 kV Contact
• Low ESD Clamping Voltage
• SZ Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified andPPAP Capable
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant

应用 Application

• USB 3.0
• MHL 2.0
• eSATA

简介

SZESD8551属于电路保护的TVS-二极管。由制造生产的SZESD8551TVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件,可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管(只能单向导电的元器件)进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor(瞬态电压抑制/抑制器)的首字母缩写。类型包括转向(轨至轨)或齐纳,具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    SZESD8551MXWT5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    3.3V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    5.5V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    16V(标准)

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    16A

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    汽车,USB 3.0

  • 不同频率时电容:

    0.3pF @ 1MHz(最大)

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装,可润湿侧翼

  • 封装/外壳:

    2-XDFN

  • 供应商器件封装:

    2-X2DFNW(1x0.6)

  • 描述:

    TVS DIODE 3.3VWM 16VC 2X2DFNW

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