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SZESD8351HT1G中文资料ESD8118MUTAG数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
SZESD8351HT1G |
参数属性 | SZESD8351HT1G 封装/外壳为SC-76,SOD-323;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电路保护的TVS-二极管;SZESD8351HT1G应用范围:汽车级;产品描述:TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC SOD323 |
功能描述 | ESD8118MUTAG |
封装外壳 | SC-76,SOD-323 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-1 12:00:00 |
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SZESD8351HT1G规格书详情
简介
SZESD8351HT1G属于电路保护的TVS-二极管。由制造生产的SZESD8351HT1GTVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件,可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管(只能单向导电的元器件)进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor(瞬态电压抑制/抑制器)的首字母缩写。类型包括转向(轨至轨)或齐纳,具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。
技术参数
更多- 产品编号:
SZESD8351HT1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
电路保护 > TVS - 二极管
- 系列:
Automotive, AEC-Q101, ESD8351
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 类型:
齐纳
- 电压 - 反向断态(典型值):
3.3V(最大)
- 电压 - 击穿(最小值):
5.5V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):
11.2V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):
5A(8/20µs)
- 电源线路保护:
无
- 应用:
汽车级
- 不同频率时电容:
0.4pF @ 1MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 125°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-76,SOD-323
- 供应商器件封装:
SOD-323
- 描述:
TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC SOD323
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2511 |
标准封装 |
8000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOD323 |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA |
11278 |
全新原装正品现货 量大可订 |
询价 | ||
ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8000 |
原装,请咨询 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
24+ |
N/A |
48000 |
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询价 | |||
ON/安森美 |
2447 |
SMD |
100500 |
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ON/安森美 |
23+ |
SOD323 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOD323-2 |
14280 |
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询价 |