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SZESD8472MUT5G

Ultra-Low Capacitance ESD Protection Diodes

文件:143.41 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

SZESD8472MUT5G

Ultra-Low Capacitance ESD Protection Diodes

文件:138.84 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

SZESD8472MUT5G

Package:0201(0603 公制);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 5.3VWM 14VC 2X3DFN

ONSEMI

安森美半导体

ESD8472MUT5G

1-Line Ultra Low Capacitance Bi-directional TVS Diode

Features Ultra small package: 0.6x0.3x0.3mm Ultra low capacitance: 0.25pF typical Ultra low leakage: nA level Low operating voltage: 5V Low clamping voltage pin leadless package Complies with following standards: – IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: ±20kV Contact discharg

文件:2.13844 Mbytes 页数:4 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

ESD8472MUT5G

Ultra-Low Capacitance ESD Protection Diodes

文件:138.84 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ESD8472MUT5G

Ultra-Low Capacitance RF ESD Protection Micro.Packaged Diodes for ESD Protection

文件:180.21 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    SZESD8472MUT5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    5.3V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    7V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    17.8V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    2.4A(8/20µs)

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    汽车级,RF 天线

  • 不同频率时电容:

    0.2pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    0201(0603 公制)

  • 供应商器件封装:

    2-X3DFN(0.6x0.3)(0201)

  • 描述:

    TVS DIODE 5.3VWM 14VC 2X3DFN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON Semiconductor
23+
2-x3dfn(0.62x0.32)
6996
只做原装正品现货
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ON
24+
X3DFN-2
9000
只做原装 假一赔十
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三年内
1983
只做原装正品
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ON
25+
DFN-2
10000
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ON/安森美
24+
X3DFN-2
9600
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ON(安森美)
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NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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ON/安森美
23+
X3DFN-2
50000
全新原装正品现货,支持订货
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ON/安森美
22+
X3DFN2
6000
十年配单,只做原装
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ON/安森美
22+
X3DFN2
14100
原装正品
询价
ON/安森美
24+
DFN-2
14280
强势渠道订货 7-10天
询价
更多SZESD8472MUT5G供应商 更新时间2025-10-10 14:40:00