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ESD8472MUT5G

丝印:ZZ;Package:DFN0603;1-Line Ultra Low Capacitance Bi-directional TVS Diode

Features Ultra small package: 0.6x0.3x0.3mm Ultra low capacitance: 0.25pF typical Ultra low leakage: nA level Low operating voltage: 5V Low clamping voltage pin leadless package Complies with following standards: – IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: ±20kV Contact discharg

文件:2.13844 Mbytes 页数:4 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

ESD8472MUT5G

Ultra-Low Capacitance ESD Protection Diodes

文件:143.41 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ESD8472MUT5G

Ultra-Low Capacitance RF ESD Protection Micro.Packaged Diodes for ESD Protection

文件:180.21 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ESD8472MUT5G

Ultra-Low Capacitance ESD Protection Diodes

文件:138.84 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ESD8472MUT5G

Package:0201(0603 公制);包装:卷带(TR) 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 5.3VWM 14VC 2X3DFN

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    ESD8472MUT5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    5.3V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    7V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    14V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    3A(8/20µs)

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    RF 天线

  • 不同频率时电容:

    0.2pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    0201(0603 公制)

  • 供应商器件封装:

    2-X3DFN(0.6x0.3)(0201)

  • 描述:

    TVS DIODE 5.3VWM 14VC 2X3DFN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多ESD8472MUT5G供应商 更新时间2025-12-4 18:08:00