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ESD8472MUT5G	文件：2.13844 Mbytes Page：4 Pages	丝印：ZZ；Package：DFN0603；1-Line Ultra Low Capacitance Bi-directional TVS Diode Features Ultrasmallpackage:0.6x0.3x0.3mm Ultralowcapacitance:0.25pFtypical Ultralowleakage:nAlevel Lowoperatingvoltage:5V Lowclampingvoltage pinleadlesspackage Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±20kV Contactdischarg	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
ESD8472MUT5G	文件：143.41 Kbytes Page：5 Pages	Ultra-Low Capacitance ESD Protection Diodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ESD8472MUT5G	文件：180.21 Kbytes Page：4 Pages	Ultra-Low Capacitance RF ESD Protection Micro.Packaged Diodes for ESD Protection	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ESD8472MUT5G	文件：138.84 Kbytes Page：5 Pages	Ultra-Low Capacitance ESD Protection Diodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ESD8472MUT5G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：0201（0603 公制）；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 5.3VWM 14VC 2X3DFN	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SZESD8472MUT5G	文件：138.84 Kbytes Page：5 Pages	Ultra-LowCapacitanceESDProtectionDiodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
ESD8472MUT5G
制造商：
onsemi
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
5.3V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
7V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
14V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
3A（8/20µs）
电源线路保护：
无
应用：
RF 天线
不同频率时电容：
0.2pF @ 1MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
0201（0603 公制）
供应商器件封装：
2-X3DFN（0.6x0.3）（0201）
描述：
TVS DIODE 5.3VWM 14VC 2X3DFN

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