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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
ESD8472MUT5G | 丝印:ZZ;Package:DFN0603;1-Line Ultra Low Capacitance Bi-directional TVS Diode Features Ultra small package: 0.6x0.3x0.3mm Ultra low capacitance: 0.25pF typical Ultra low leakage: nA level Low operating voltage: 5V Low clamping voltage pin leadless package Complies with following standards: – IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: ±20kV Contact discharg 文件:2.13844 Mbytes 页数:4 Pages | LEIDITECH 雷卯电子 | LEIDITECH | |
ESD8472MUT5G | Ultra-Low Capacitance ESD Protection Diodes 文件:143.41 Kbytes 页数:5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
ESD8472MUT5G | Ultra-Low Capacitance RF ESD Protection Micro.Packaged Diodes for ESD Protection 文件:180.21 Kbytes 页数:4 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
ESD8472MUT5G | Ultra-Low Capacitance ESD Protection Diodes 文件:138.84 Kbytes 页数:5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
ESD8472MUT5G | Package:0201(0603 公制);包装:卷带(TR) 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 5.3VWM 14VC 2X3DFN | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI |
产品属性
- 产品编号:
ESD8472MUT5G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
电路保护 > TVS - 二极管
- 包装:
卷带(TR)
- 类型:
齐纳
- 电压 - 反向断态(典型值):
5.3V(最大)
- 电压 - 击穿(最小值):
7V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):
14V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):
3A(8/20µs)
- 电源线路保护:
无
- 应用:
RF 天线
- 不同频率时电容:
0.2pF @ 1MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
0201(0603 公制)
- 供应商器件封装:
2-X3DFN(0.6x0.3)(0201)
- 描述:
TVS DIODE 5.3VWM 14VC 2X3DFN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
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X3DFN-2 |
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X3DFN-2 |
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