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ESDA8V2-1J

丝印:E8;Package:SOD-323;High EOS and ESD protection level

Features Breakdown voltage VBR = 8.2 V Unidirectional device High peak power dissipation: 500 W (8/20 μs waveform) ESD protection level better than IEC 61000-4-2, level 4: 30 kV contact discharge Low leakage current (

文件:316.66 Kbytes 页数:5 Pages

UMW

友台半导体

ESDA8V2-1J

EOS and ESD Transil??protection for charger and battery port

文件:138.27 Kbytes 页数:7 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

ESDA8V2-1J

Package:SC-76,SOD-323;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 5VWM 20VC SOD323

STMICROELECTRONICS

意法半导体

PESDA8V2-1J

1-Line Unl-directional TVS Diode

Features * 350W peak pulse power (8/20ps) * Protects one data or power line * Ultra low leakage: nA level + Operating voltage: 5V * Ultra low clamping voltage + Complies with following standards: —IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: +30kV/ Contact discharge: +30kV —IEC61000-

文件:1.00833 Mbytes 页数:4 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

产品属性

  • 产品编号:

    ESDA8V2-1J

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 系列:

    ESDA, TRANSIL™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    5V

  • 电压 - 击穿(最小值):

    8.2V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    20V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    25A(8/20µs)

  • 功率 - 峰值脉冲:

    500W

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 不同频率时电容:

    210pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-76,SOD-323

  • 供应商器件封装:

    SOD-323

  • 描述:

    TVS DIODE 5VWM 20VC SOD323

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多ESDA8V2-1J供应商 更新时间2025-10-5 9:04:00