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SZESD8104MUTAG	文件：557.29 Kbytes Page：13 Pages	ESDProtectionDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TLE8104E	文件：1.51415 Mbytes Page：27 Pages	SmartQuadChannelPowertrainSwitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
TPC8104-H	文件：961.34 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPC8104-H	文件：327.2 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(HighSpeedU-MOSII) HighSpeedandHighEfficiencyDC−DCConverters LithiumIonBatteryApplications NotebookPCs PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Highspeedswitching •Smallgatecharge:Qg=17nC(typ.) •Lowdrain−sourceONresistance:RDS(ON)=38mΩ(t	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCA8104	文件：239.56 Kbytes Page：7 Pages	High-SideSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCA8104	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCC8104	文件：237.44 Kbytes Page：9 Pages	Lithium-IonSecondaryBatteriesPowerManagementSwitches	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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TPCF8104	文件：75.21 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBAFIELDEFFECTTRANSISTORSILICONPCHANNELMOSTYPE(U-MOS4) NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=21mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=9.6S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(max)(VDS=−30V) •Enhancementmode:Vth=−0.8to−2.0V(VDS=−10V,ID=−1mA	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8104	文件：228.23 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOS??	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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