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IRFR9310	文件：3.34658 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9310	文件：267.35 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Advancedprocesstechnology •Fullyavalancherated •Surface-mount(IRFR9310,SiHFR9310) •Straightlead(IRFU9310,SiHFU9310) •P-channel •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgenerat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9310PBF	文件：252.41 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPOWERMOSFET Description ThirdgenerationPowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9310PBF	文件：832.21 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRFR9310PBF	文件：3.34605 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRFR9310TR	文件：832.21 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRFR9310TRA	文件：3.34605 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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产品属性

产品编号：
SX9310ICSTRT
制造商：
Semtech Corporation
类别：
传感器，变送器 > 接近传感器
包装：
盒
传感器类型：
电容性
输出类型：
I²C
屏蔽：
屏蔽
电压 - 供电：
2.7V ~ 5.5V
端接样式：
SMD（SMT）接片
工作温度：
-40°C ~ 85°C
描述：
SENSOR PROX CAPACITIVE

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