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MTB2N40E	文件：271.37 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET2.0AMPERES400VOLTS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTD2N40E	文件：268.13 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET2.0AMPERES400VOLTSRDS(on)=3.5OHM TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilities.ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationscheme	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTD2N40E	文件：265.85 Kbytes Page：10 Pages	N?묬hannelDPAKPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP2N40	文件：791.66 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,2.25A,350-400V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriverandhighenergypulsecircuits. •LowRDS(on) •VGSRatedat±20V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP2N40	文件：791.66 Kbytes Page：3 Pages	IRF710-713MTP2N35/2N40N-ChannelPowerMOSFETs Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriverandhighenergypulsecircuits. •LowRDS(on) •VGSRatedat±20V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP2N40	文件：300.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP2N40	文件：360.17 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
MTP2N40	文件：147.35 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,2.25A,350-400V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriverandhighenergypulsecircuits. •LowRDS(on) •VGSRatedat±20V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MTP2N40E	文件：217.16 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET2.0AMPERES400VOLTSRDS(on)=3.5OHM	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP2N40E	文件：213.84 Kbytes Page：7 Pages	N?묬hannelEnhancement?묺odeSiliconGate	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

技术参数

ID(A)：
2.00(A)
RDS(ON)：
2.800(Ω)
Qg(nC)：
7nC
Package：
TO-92
Type：
PLANAR D
Update：
2017-08-31

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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