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SVF4N80F	文件：100 bytes Page：1 Pages	F-CellTM系列高压MOSFET; • 4A，800V，RDS(on)(Typ.)=3.3W@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快\n• 提升了dv/dt 能力\n; SVF4N80F/D/MJ/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。\n\n \n\n	SilanSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	Silan
SVF4N80F	文件：2.12054 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SVF4N80F/FG/D/MJ	文件：100 bytes Page：1 Pages	F-CellTM系列高压MOSFET;	SilanSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	Silan
SW4N80D	文件：762.98 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancedmodeTO-220F/TO-251NMOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SW4N80K	文件：1.14428 Mbytes Page：7 Pages	N-channelEnhancedmodeTO-220F/TO-251N/TO-252MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
TSM4N80	文件：216.78 Kbytes Page：7 Pages	800VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
YJ4N80CH	文件：1.17961 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
YJ4N80CI	文件：1.17961 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
YJ4N80CM	文件：1.17961 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
YJ4N80CP	文件：1.17961 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE

技术参数

Status：
MP
Type：
N
Process：
F-cell
Configuration：
Single
Popular Application：
High Voltage
ESD Diode：
No
Schottky Diode：
No
Schottky Type：
NO
Package：
TO-220F-3L
VGS：
30
ID @25℃：
2~4
PD @25℃：
4
RDS[ON]@VGS=10v：
35
VGS[th]：
3.80
Ciss：
513.40
Crss：
2.80
Qg：
12.35
Qgd：
5.09
Td[on]：
14.80
Td[off]：
28.13

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