F-CellTM系列高压MOSFET

SVF4N80F/D/MJ/K  N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。\n\n • 4A，800V，RDS(on)(Typ.)=3.3W@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快\n• 提升了dv/dt 能力;

Silan

士兰微

Power MOSFET

文件：2.12054 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

F-CellTM系列高压MOSFET

Silan

士兰微

N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N MOSFET

文件：762.98 Kbytes 页数：6 Pages

SEMIPOWER

芯派科技

N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET

文件：1.14428 Mbytes 页数：7 Pages

SEMIPOWER

芯派科技

800V N-Channel Power MOSFET

文件：216.78 Kbytes 页数：7 Pages

TSC

台湾半导体