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SVF4N65CAFJ中文资料平面高压MOS功率管数据手册Silan规格书
SVF4N65CAFJ规格书详情
描述 Description
SVF4N65CAFJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。
特性 Features
• 4A,650V,RDS(on)(典型值)=2.3Ω@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力
技术参数
- 制造商编号
:SVF4N65CAFJ
- 生产厂家
:Silan
- Status
:Sample
- Type
:N
- Process
:F-cell
- Configuration
:Single
- Popular Application
:High Voltage
- ESD Diode
:NO
- Schottky Diode
:NO
- Schottky Type
:NO
- Package
:TO-220FJ-3L
- VGS
:30
- ID @25℃
:2~4
- PD @25℃
:4
- RDS[ON]@VGS=10v
:30
- VGS[th]
:2.70
- Ciss
:430.00
- Crss
:4.10
- Qg
:12.50
- Qgd
:6.31
- Td[on]
:9.93
- Td[off]
:27.60
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SILAN/士兰微 |
24+ |
NA/ |
23100 |
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SILAN/士兰微 |
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TO-251 |
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SILAN |
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TO-262 |
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士兰微 |
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SILAN |
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SILAN士兰微 |
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TO-251D-3L |
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Silan |
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TO-252 |
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SILAN(士兰微) |
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TO-251D-3L |
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士兰微 |
24+ |
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原装现货 |
询价 | |||
SILAN/士兰微 |
2022+ |
TO-252 |
30000 |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
询价 |